| 부품 번호 | IRFBC30STRLPBF |
|---|---|
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK |
| 데이터시트 | |
| 패키지 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 재고 | 72,000 piece(s) |
| 단가 | Request a Quote |
| 리드 타임 | 즉시 배송 가능 |
| 예상 배달 시간 | 5월 4 - 5월 9 (신속 배송 선택) |
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| 지불 방법 | |
| 배달 서비스 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 범주 | 이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 패키지 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 계열 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.6A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT8008ACL8-28S | SiTIME, OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY SMD, 4-SMD, No Lead, - | 전망 |
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SIT8209AI-2F-28S-133.300000T | SiTIME, -40 TO 85C, 3225, 10PPM, 2.8V, 1, -, - | 전망 |
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2225J0250390KFR | Knowles Syfer, CAP CER 2225, -, - | 전망 |
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VJ0402D0R6CXXAP | Vishay Vitramon, CAP CER 0.6PF 25V C0G/NP0 0402, 0402 (1005 Metric), - | 전망 |
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6053-056 | API Delevan Inc., XFRMR LAMINATED 12VA THRU HOLE, -, - | 전망 |
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LTC3541EDD#TRPBF | Linear Technology, IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 10-DFN, 10-WFDFN Exposed Pad, - | 전망 |
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74AUP3G3404GMH | Nexperia USA Inc., IC DUAL BUFFER SGL INVERT 8XQFN, 8-XFQFN Exposed Pad, - | 전망 |
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63239-1 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250, -, - | 전망 |
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0395315009 | Molex, LLC, TERM BLOCK HDR 9POS VERT 5.08MM, -, - | 전망 |
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67996-400HLF | Amphenol FCI, BERGSTRIP .100" DR STRAIGHT, -, - | 전망 |
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4-1734324-3 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN MOD JACK 8P8C R/A SHIELDED, -, - | 전망 |
 
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74LCX86M | ON Semiconductor, IC GATE XOR 4CH 2-INP 14SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), - | 전망 |
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| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF D# IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFBC30STRLPBF) RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF D# IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFBC30STRLPBF) RoHS: Compliant
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| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF D# IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFBC30STRLPBF) RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies | 406 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF D# IRFBC30STRLPBFCT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK |
728 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
5260 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
58029 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF D# 844-IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS: Compliant
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738 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF D# NS-IRFBC30STRLPBF |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4752 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
816 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp pbFree: Pb-Free
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Huntington |
shipping today |
45635 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Semiconductors |
RFQ |
6433 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IRFBC30STRLPBF |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK |
25235 |
Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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