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| 부품 번호 | IPB017N10N5LFATMA1 |
|---|---|
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 |
| 데이터시트 | |
| 패키지 | - |
| ECAD |
|
| 재고 | 3,488 piece(s) |
| 단가 | Request a Quote |
| 리드 타임 | 확인하려면 |
| 예상 배달 시간 | 5월 20 - 5월 25 (신속 배송 선택) |
| 견적 요청 |
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| 지불 방법 | |
| 배달 서비스 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 범주 | 이산 소자 반도체 제품 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 |
| 패키지 | - |
| ECAD |
|
| 계열 | * |
| FET 유형 | - |
| 과학 기술 | - |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| Vgs (최대) | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| 작동 온도 | - |
| 실장 형 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
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SIT1602BI-72-30S-24.576000E | SiTIME, -40 TO 85C, 2016, 25PPM, 3.0V, 2, -, * | 전망 |
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SIT1602BC-22-30N-33.330000D | SiTIME, -20 TO 70C, 3225, 25PPM, 3.0V, 3, -, * | 전망 |
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GJM0225C1E1R6CB01L | Murata, CAP CER 1.6PF 25V NP0 01005, 01005 (0402 Metric), * | 전망 |
 
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EL8300ISZ | Intersil, IC OPAMP VFB 100MHZ RRO 16SOIC, 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), * | 전망 |
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UB5C-750RF8 | Riedon, RES 750 OHM 5W 1% AXIAL, Axial, * | 전망 |
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CRCW12105K76FKEAHP | Vishay Dale, RES SMD 5.76K OHM 1% 3/4W 1210, 1210 (3225 Metric), * | 전망 |
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RC0100FR-0723R7L | Yageo, RES SMD 23.7 OHM 1% 1/32W 01005, 01005 (0402 Metric), * | 전망 |
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TE300B390RJ | TE Connectivity Passive Product, RES CHAS MNT 390 OHM 5% 300W, Radial, Tubular, * | 전망 |
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D38999/27HC98PD | TE Connectivity Deutsch Connectors, D38999/27HC98PD, -, * | 전망 |
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D38999/24KA35BA | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSNG FMALE 6POS PNL MT, -, * | 전망 |
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REM6-2415DW/A | Recom Power, CONV DC/DC 6W 9-36VIN +/-15VOUT, 24-DIP Module, 6 Leads, * | 전망 |
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74VHCT74AN | ON Semiconductor, IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP, 14-DIP (0.300", 7.62mm), * | 전망 |
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| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# V72:2272_17076743 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
DIFFERENTIATED MOSFETS - Tape and Reel (Alt: IPB017N10N5LFATMA1) |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# SP001503850 |
Infineon Technologies AG |
DIFFERENTIATED MOSFETS (Alt: SP001503850) RoHS: Compliant
|
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# IPB017N10N5LFATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# 2986455 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, 313W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 100V 180A 313W Surface Mount PG-TO263-7 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3663 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# 93AC7097 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, 313W, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0015ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1336 |
| 부품 번호 | 제조업체 | 설명 | 재고 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# 2986455 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, 313W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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Heisener의 품질에 대한 약속은 소싱, 테스트, 선적 및 그 사이의 모든 단계에 대한 프로세스를 형성했습니다. 이 기초는 우리가 판매하는 각 구성 요소의 근간을 이루고 있습니다.
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